辐射传感器

X系列:电离辐射探测器

2016/6/12 阅读 (1444)

X系列:电离辐射探测器
采用硅PIN光电二极管,根据晶格内辐射吸收深度效应直接检测,实现直接检测α、β、γ和X射线辐射。或者通过测量闪烁晶体的辐射发光强度,间接检测α、β、γ和X射线辐射。First Sensor的X系列内置优化的硅PIN光电二极管,即使在低反向电压下仍可形成大面积全耗尽空间电荷区,因此能够确保辐射的最大吸收。在高能辐射领域,我们提供CsI:TI闪烁晶体探测器。

特性
-极低暗电流信号
-极低电容水平
-全耗尽状态下串联电阻最小

技术规格和PDF数据图表
   Order # Chip Package Active Area
Size (mm) /
Area (mm²)
Dark 
current
(nA)
Capacitance
(pF)
Gamma-
energy 
(KeV)
Scintillator
CsI (TI)
window
   50190301 X5-γ TO8S Ø 2.52 / 5 0.01 2.5 >1 no Ø 6 mm
   501559 X7-F CSP 2.8 x 2.8 / 6.2 0.015 12 - no -
   50190401 X10-γ TO8Si Ø 3.75 / 10 0.02 4.5 >1 no Ø 6 mm
   50190001 X10-γ TO8S Sc Ø3.75 / 10 0.02 4.5 2…>1000 yes Ø 6 mm
   501907 X10-6 TO39 Ø 3.57 / 10 0.5 18 >5 no epoxy dome
   501401 X100-7 LCC10 10 x 10 / 100 3 80 >5 no black epoxy
   501400 X100-7 CerPin 10 x 10 / 100 3 80 >5 no black epoxy
   50147702 X100-7 CerPin 10 x 10 / 100 5 80 5..>1000 4 mm white coating
   50147701 X100-7 CerPin 10 x 10 / 100 5 80 5..>1000 8 mm white coating

光电二极管阵列
我们的线性PIN光电二极管阵列专门针对CsI:Tl闪烁发光检测应用进行优化设计,设计用于线性多设备装配。

技术规格和PDF数据图表

   Order # Chip Package Elements Pitch
(mm)
Active Area
Size (mm) /
Area (mm²)

Dark current
at10 mV (pA)
Capacitance
at 0 V (pF)
Scintillator
   50146101 16XA1.9-B DIL18 full 16 1.275 0.9 x 2.15 / 1.94 5 250 optional
   50146102 16XA1.9-B DIL18 slim 16 1.275 0.9 x 2.15 / 1.94 5 250 optional
   50146201 16XA2.6-A DIL18 full 16 1.575 1.2 x 2.15 / 2.58 5 135 optional
   50146202 16XA2.6-A DIL18 slim 16 1.575 1.2 x 2.15 / 2.58 5 135 optional
   50146301 16XA5.2-A DIL18 full 16 2.525 2.15 x 2.4 / 5.16 7.5 240 optional
   50146302 16XA5.2-A DIL18 slim 16 2.525 2.15 x 2.4 /  5.16 7.5 240 optional

 

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